技术编号:11521821
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法以及形成沟槽的方法。背景技术半导体集成电路(IC)工业经历了高速发展。IC设计和材料中的技术进步已经产生了多代IC,其中,每一代IC都具有比上一代更小和更复杂的电路。在IC发展过程中,功能密度(即,每芯片面积上互连器件的数量)通常增大了而几何尺寸(即,使用制造工艺可以做出的最小的元件(或线))减小了。该按比例缩小工艺通常因提高生产效率和降低相关成本而提供益处。这样的成比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂程度。为了实现这些进步,需要IC处理和制造中的类似的发展...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。