技术编号：11521851
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体加工领域，具体涉及用于原子层沉积的动态前体投配。背景技术某些半导体制造工艺通过使前体流到晶片上，并且然后通常用等离子体和/或第二前体激活衬底表面上的反应而在半导体晶片上创建膜。在一种这样的工艺，即原子层沉积(“ALD”)中，一种或多种汽化的前体在ALD循环期间作为一个或多个“投配(dose)”步骤的一部分从安瓿流到半导体晶片上。在一些传统的半导体加工工具中，将前体输送至处理室的一些方式导致前体浪费。发明内容本公开的系统、方法和设备各自具有若干创新的方面，其中没有任何单一的方面完全...
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