技术编号：11521933
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及高速高功率半导体晶体管和由这种晶体管构造成的放大器。背景技术近年来，氮化镓半导体材料由于其令人满意的电子和光电性能，已经获得了相当的关注。GaN具有约3.4ev的宽的直接带隙，其对应于可见光谱的蓝色波长区域。已经开发出并且能够在市场上买到基于GaN及其合金的发光二极管(LED)和激光二极管(LD)。这些器件能够发射可见光谱的从紫色到红色区域的可见光。由于其较宽的带隙，GaN比其它半导体(例如硅)更耐雪崩击穿，并且能够在更高的温度下保持电学性能。与硅相比，GaN还具有更高的载流子饱和速度...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。