技术编号：11522028
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。具有多凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应管的制备方法技术领域本发明属于场效应晶体管技术领域，具体涉及一种具有多凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法。背景技术碳化硅(SiC)由于其具有的宽禁带宽度、高临界电场、高饱和漂移速度和高热导率等优良的电学性能吸引了人们的注意，成为第三代半导体材料。这些优良特性使碳化硅(SiC)常常应用于高压、高温、高频、大功率等工作条件下。SiC在微波功率器件，尤其是金属半导体场效应晶体管(MESFET)的应用中占有主要地位，已成为近年来微波功率...
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