技术编号：11546714
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及评价方法以及半导体装置的制造方法。背景技术作为半导体元件的特性之一，已知有反馈电容Crss(例如参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2016-4935号公报发明内容技术问题优选地，半导体元件的反馈电容Crss被预先测定。例如，若在桥式电路的上下臂等中使用的多个半导体元件的反馈电容Crss中产生波动，则开关定时会产生波动，会产生上下臂短路等问题。但是，若要直接测定半导体元件的反馈电容Crss则需要花费时间。技术方案在本发明的第1实施方式中，提供评价半导体元件的反馈电容的评价方法。评价方...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。