技术编号：11547177
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及锂离子电池，尤其是涉及一种锂离子电池纳米级硅负极的制备方法。背景技术随着科技和经济的发展，高性能电子设备，电动汽车等层出不穷，而市场上通常用的石墨负极锂离子电池(理论容量370mA·h/g)并不能满足高容量，低循环损耗的要求。因此要设计出性能更为优越的电极活性材料，比如：Si,Ge,SnO2,SiOC等。在不断的研究中发现Si的理论容量非常高，大约是石墨的10倍(在与Li形成合金Li15Si4时容量为3579mA·h/g)，且有较低的锂化/去锂化电势，因此引起了界内广泛关注。但是Si在...
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