技术编号：11570854
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的主题是基座，所述基座用于在半导体晶片的前侧上沉积层的期间保持具有定向缺口的半导体晶片。基座具有放置表面和所述放置表面的台阶形外定界，所述放置表面用于将半导体晶片放置在半导体晶片的后侧的边缘区域中。本发明的主题还是一种用于在具有定向缺口的半导体晶片上沉积层的方法和由单晶硅制成的半导体晶片，该基座在所述方法中被使用。背景技术提及类型的基座在各种实施例中是已知的。在DE19847101C1中描述了一个实施例，其中放置表面是形成基座的环的部件。在根据EP1460679A1的实施例中，基座额外地具...
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