技术编号:11586940
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有横向尺寸改变吸收缓冲层的电子部件及其生产方法本申请是申请号为201280031644.6,申请日为2012年6月21日,发明名称为“具有横向尺寸改变吸收缓冲层的电子部件及其生产方法”的申请的分案申请。技术领域本发明一般涉及包括布置在柔性衬底上的堆叠层的电子部件,其中所述堆叠包括电活性部分和用于保护电活性保护部分免于划伤和磨损的保护层,并且其中所述电活性部分包括底部电极层和顶部电极层和至少一个分离所述电极的绝缘或半绝缘层。背景技术传统上,电子部件典型地提供在刚性的衬底上,诸如硅。然而,电子学也...
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