技术编号:11613770
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及反应器技术领域,特别是涉及一种镓源反应器。背景技术氢化物气相外延(HVPE,HydrideVaporPhaseEpitaxy)设备为化合物生长工艺设备,主要用于在1000度左右高温环境下通过如H2、HCl等氢化物气体,使衬底表面外延生长一层如GaAs、GaN等的厚膜或晶体。现有HVPE设备中,氯化氢气体与金属镓进行反应的镓源反应器主要存在以下缺陷:1、氯化氢气体与金属镓的接触时间短,氯化氢气体未参与反应就已经流出反应区。2、反应器内的液态金属镓的余量的变化,引起氯化氢转化为氯化镓的比率...
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