技术编号:11621851
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有绝缘体上硅结构的半导体结构和其制造方法。背景技术绝缘体上硅(SOI)可由厚的完整基底层组成,典型但非必须是由硅所处理的,其提供机械稳定性、电绝缘中间层,典型但非必须是由二氧化硅(SiO2)制成、以及高质量单晶硅的薄的顶层,其包含通过例如光刻蚀刻手段而图案化的微电子装置。有许多厚的与薄的薄膜厚度成为适当的几何图形。已发现SOI衬底缺乏某些方面。通常,至今所提出的一些方法会产生相对低产量与相对高成本的厚度SOI晶片。至今已提出的其它方法会产生具有装置层的SOI晶片,其具有不被接受的变异...
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