技术编号:11621996
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种使用不同波长的超短脉冲皮秒激光诱导相变材料薄膜晶化的方法,属于膜晶化技术领域。背景技术相变材料最根本的特点是其发生晶化/非晶化的超快性和高可循环性,然而满足这一特性的材料并不多,目前应用最广泛的是锗锑碲三元合金相变材料。其中Ge2Sb2Te5由于其相对较高的结晶温度,从而其在非晶态的稳定性相对较好,即数据储存稳定性较好而被广泛研究,也是目前为止应用最广泛的一种相变材料。然而随着时代的进步,需要存储,读取的信息量越来越大,因此如何增大存储量这个问题开始被广泛研究。而相变存储中辐照激光...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。