技术编号:11622599
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体器件及其驱动方法相关申请的交叉引用本申请要求2012年3月30日提交的申请号为10-2012-0033371的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。技术领域本发明的示例性实施例涉及一种半导体设计技术,更具体而言,涉及一种半导体器件及其驱动方法。背景技术半导体器件,诸如动态随机存取存储器(DRAM)器件,通常包括熔丝电路。熔丝电路是一种用于经由熔丝编程工艺将先前的选项信号反相并来输出反相的信号的电路,且用于在电压控制电路或冗余电路中选择性地提供选项信号。熔丝编程工艺包括激光吹气(...
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