技术编号：11623356
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种p-n结型ZnO-CoTiO3室温气敏薄膜的制备方法技术领域本发明涉及一种制备p-n结型气敏薄膜的制备方法，具体涉及一种p-n结型ZnO-CoTiO3室温气敏薄膜的制备方法。背景技术钛酸钴(CoTiO3)是一种p型半导体气敏材料，它对40ppmC2H5OH气体的灵敏度已超过60，选择性S40ppmC2H5OH/S25ppmpropylene达到6.6，响应时间和恢复时间分别为15s和20s[ChuXF,LiuXQ,WangGZ,etal.Preparationandgas-sensingPr...
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