技术编号:11647812
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种单晶炉结构,尤其是一种改进的单晶炉结构及其应用。背景技术单晶炉的工作原理是将多晶硅原料投入坩埚中,装在炉腔内,真空泵将主炉室内抽成真空然后持续通入保护气体氩气,通过控制真空泵前端调节阀的开度将炉内压力维持在1300~2600Pa,将多晶硅原料加热熔化后,从上传动底部有钢丝绳将单晶的晶种(籽晶)下放至液面,保证籽晶与液面接触,缓慢降温,籽晶同时在做提拉和旋转运动,多晶硅熔体围绕籽晶不断长大,最终长成圆柱形状的单晶硅棒,晶棒通常需要在炉腔内冷却约6小时才能才能取出,取出晶棒后再进行下一...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。