技术编号:11656088
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料制备技术领域,具体涉及一种采用激光裂片技术制备SOI硅片的方法。背景技术一九八零年,IBM发展应用氧离子直接注入法(SeparationbyImplantationOxygen,SIMOX)来发展制作SOI材料。该制程需要植入非常高剂量的氧离子(约5×1018/cm2),虽然经过高温退火处理形成二氧化硅层,并以再洁净的方式消除大部分的缺陷,但仍然无法使因注入离子而造成的缺陷全部消除。到一九九二年,法国一家以研究为导向的公司CommossariatAl’EnergieAtomi...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。