技术编号:11692068
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本揭露内容是关于半导体集成电路,且特定而言是关于在磊晶源极/漏极(source/drain;S/D)结构上具有均一且薄的硅化金属层的半导体装置及其制造制程。背景技术由于半导体工业已发展至纳米技术制程节点以追求更高装置密度、更高效能及更低成本的,来自制造及设计问题两者的挑战已导致三维设计的发展(例如鳍式场效晶体管(finfieldeffecttransistor;FinFET))及具有高k(介电常数)材料的金属栅极结构的使用。金属栅极结构常常通过使用栅极替换技术制造,且源极及漏极是通过使用磊晶生长...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。