技术编号：11703669
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁控溅射领域，更具体而言涉及一种动态控制溅射靶材利用率的控制装置和控制方法。背景技术当前在磁控溅射领域，平面靶材的利用率只有20％-45％，旋转靶材的利用率只有30％-50％，从而造成很大的资源浪费。而且，目前检测靶材利用率的装置和方法均是在靶材使用完毕后通过采用称重、用直尺和卡尺测量最深点或者用3D扫描靶材形貌来进行的。这些方法都无法实现在线实时测量，这样既浪费了时间，也无法动态控制靶材利用率。因而，需要一种下述的动态控制溅射靶材利用率的控制装置和控制方法：其可以解决或至少减轻上述现...
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