技术编号：11730912
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件及其制作方法，尤其涉及一种主动元件及其制作方法。背景技术在现有的金属氧化物半导体的结构中，主要是以具有蚀刻终止层的结构为最广泛使用，理由在于具有蚀刻终止层的结构具有较佳的组件保护性且相对于组件特性较为稳定。具有蚀刻终止层的金属氧化物半导体的结构常见的有二种，一种是全覆盖型态的蚀刻终止层(fulltypeESL)的金属氧化物半导体的结构，另一种是部分覆盖型态的蚀刻终止层(non-fulltypeESL)金属氧化物半导体的结构。全覆盖型态的蚀刻终止层(fulltypeESL)...
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