技术编号：11730928
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化镓半导体器件，尤其涉及一种纵向型的氮化镓基的垂直器件。背景技术第三代半导体材料，包括：硫化镉（CdS）、氧化锌（ZnO）、碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)、金刚石等。这些半导体材料的禁带宽度都大于2.2eV，在电子器件方面，对SiC和GaN研究得相对比较成熟，是目前世界半导体材料和器件研究领域中的热点。GaN禁带宽度是3.4eV，宽禁带使GaN材料能够承受更高的工作温度，也使GaN材料有更大的击穿电场，更大的击穿电场意味着器件能够承受更高的工作电压，可以提高器件的功率特性，G...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。