技术编号：11792502
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种光学元件抛光后的清洗方法，具体涉及一种KDP晶体磁流变抛光后的清洗方法。背景技术ICF激光器性能的不断提高对所应用晶体的损伤阈值也提出进一步的要求，同时晶体的损伤阈值也直接决定了激光输出的能量密度和自身的使用寿命。KDP（KH2PO4）晶体是惯性约束核聚变(ICF)高功率激光器中用于电光开关和激光倍频和三倍频的光学材料，该晶体具有质软、易潮解、易开裂、对温度变化敏感和脆性高等特点，加工过程中非常容易产生缺陷层、残余应力和亚表面损伤。而目前广泛使用的金刚石单点飞切技术不可避免地留下飞...
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