技术编号：11806117
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置相关申请的交叉引用本发明要求2015年5月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0068120号的优先权和权益，其全部内容以引用的方式并入本文中。技术领域本发明涉及一种用于形成二氧化硅层的组成物，一种用于制造二氧化硅层的方法，以及一种根据所述方法制造的二氧化硅层以及电子装置。背景技术平板显示器使用包含栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体的薄膜晶体管(thinfilmtransistor，TFT)作为...
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