技术编号：11807593
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于荧光显微成像领域，具体涉及一种基于柱透镜聚焦的线扫描受激发射损耗显微成像装置。背景技术远场荧光发光显微术被广泛用于研究生物样本，但由于受阿贝衍射极限限制，远场光学显微成像的极限分辨率横向大致为200nm，纵向为450nm（Science316,1153(2007)）。为进一步提高远场显微成像分辨率，大量新颖的超分辨成像技术被提出，其中受激发射损耗（StimulatedEmissionDepletion，STED）显微术（NATURE440，935（2006））是最近发展较快的一种超分辨...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。