技术编号：11836150
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种超结型功率管的缓冲层的制备方法和一种超结型功率管。背景技术在相关技术中，超结型场效应晶体管(简称超结型功率管，主要包括N型衬底1、N型外延层2和多晶硅层3或离子注入区4)以其击穿电压高、功耗低等优点被广泛应用于开关电路中，其中，缓冲层(P型或N型)与超结型场效应晶体管的耐压特性息息相关，通常采用深槽外延工艺、倾斜注入工艺和多步外延工艺等方法来制备缓冲层，上述方法存在以下缺点：(1)如图1所示，深槽外延工艺的工艺条件严苛，对进行深槽刻蚀过程有较高的要...
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