技术编号:11836375
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法。背景技术随着半导体元件的集成化,为了达到高密度以及高效能的目标,在制造半导体元件时,倾向形成向上堆栈的结构,以更有效利用晶圆面积。因此,具有高深宽比(highaspectratio)的半导体结构经常出现在小尺寸元件中。制造上述具有高深宽比的半导体结构,通常会进行多次的刻蚀,以形成不同图案的材料层。然而,由于尺寸微小化,造成对准不易、刻蚀工艺不易掌控或刻蚀后图形产生形变,甚至导致结构倒塌,而可能影响半导体元件工艺的良率。因此,如何减少刻蚀工艺的次数,及降低...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。