技术编号：11836439
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，材料生产应用领域，特别是一种用于硅片的无去边复合背封层结构及其制造方法。背景技术硅片的背封设计对于后续的外延制程有着重要的影响，不恰当的背封设计会带来自掺杂、背面硅渣异常生长等问题，导致外延制程良率损失。图1所示为常见的无去边处理的硅片背封设计，采用了内层多晶硅背封+外层二氧化硅背封的复合背封层设计。其中多晶硅背封层起到外吸杂作用，二氧化硅背封层起到背封作用。但是采用这一设计的硅片，由于其正面斜边上覆盖的是多晶硅层，而抛光面为单晶硅，所以外延时，在硅片正面斜边和抛光面上会分别生...
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