技术编号:11836902
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有非对称源极/漏极的半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求于2015年4月23日提交的韩国专利申请第10-2015-0057193号的优先权,其公开内容以引用方式全部合并于此。技术领域本申请涉及一种半导体器件。背景技术最近,安装在移动产品中的半导体芯片趋向于小型化和高度集成,并且半导体器件相应地变小。随着集成在半导体芯片中的半导体器件的尺寸缩小,晶体生长源极/漏极的接触面积减小,并且半导体器件的导通电流特性下降。已经提出了各种不同的解决这种问题的方法。发明内容本发明构思的各实施例提供一种半导体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。