技术编号：11840636
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及一种溅射系统，更具体而言，涉及脉冲DC溅射。背景技术溅射过去包括在真空腔室中产生磁场并且引起该腔室中的等离子体束撞击牺牲靶，从而有时在与工艺气体反应之后引起该靶溅射(喷射)材料，该材料然后被沉积为基板上的薄膜层。溅射源可以采用磁控管，该磁控管利用强电场和磁场来将带电的等离子体粒子局限在靶的表面附近。通常提供阳极以便在离子离开而碰撞靶时从等离子体收集电子以保持等离子体中性。多年来，本行业已进行过各种尝试以使得溅射效率最大化、减少功率消耗需求、使得系统的热负荷最小化、使得电弧最小化和...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。