技术编号：11870104
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能电池领域，具体涉及一种激光刻蚀透明导电膜制备等离激元增强晶硅太阳电池方法。背景技术等离激元效应是金属和电介质界面处的电子的集体振荡行为，它既可以局域在金属纳米粒子里，也可以沿着金属表面传播。按其存在方式大致可分为局域表面等离激元和极化表面等离激元。在晶硅太阳能电池表面制备金属的等离激元，可以增强晶硅太阳能电池对太阳能光的吸收，并且等离激元效应可以有效的增加少子的寿命，有效的提高光电转换效率。等离激元效应增加太阳能效率的原理有四个方面：第一，表面等离激元通过光的散射增强吸收层的光吸...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。