技术编号：12030540
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于单晶金刚石材料制备领域，具体涉及一种CVD法合成单晶金刚石降低位错密度的方法。背景技术单晶金刚石禁带宽度为5.5eV，属于超宽带隙半导体，被称为“第四代半导体材料”，具有超高载流子迁移率、最高热导率、最高击穿场强、低介电常数、高的Johnson指标和Keyse指标等等优越性质，使其成为极高频超高功率领域应用的终极材料。低压化学气相法（CVD）合成单晶金刚石成本低，晶体尺寸大，成为人工合成单晶金刚石的可行方法之一。目前限制单晶金刚石应用的一大问题既是其晶体质量差，同质生长的位错密度高达1...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。