技术编号:12036273
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氧化锡基薄膜压敏电阻器的制备方法,属于电子信息材料制备及其应用技术领域。背景技术压敏电阻器(Varistor)是用于抑制输电线路浪涌电能、瞬时高压的一种半导体电子器件。在一定温度和电压范围内,通过它的电流随施加电压的增加而急剧增大,广泛用作各种抑制浪涌的阀元件以及过压保护的电子元器件。随着科学技术的发展,除已经广泛商业化的氧化锌基压敏电阻外,其他各种材质的陶瓷基压敏电阻纷纷出现,如TiO2、SrTiO3、WO3和SnO2基压敏电阻等。其中,SnO2基压敏电阻微观结构简单、有效晶界率...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。