技术编号:12056983
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,具体地,涉及一种磁控管的安装机构及磁控溅射设备。背景技术磁控溅射技术是一类常见的物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,PVD)技术,其特点是在靶材的背部设置磁控管,用于提供可穿过靶材的磁场,该磁场在工艺腔室内对等离子体中的电子形成磁场束缚,使其沿着磁力线作螺旋运动,从而可以延长电子运动轨迹,并提高电子对工艺气体的电离几率,进而达到增加溅射产额的目的。磁控管与靶材之间的间距称为靶间距,若靶间距过大,则会使穿过靶材的磁场强度过低,导致膜层沉积速率...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。