技术编号：12066076
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及快恢复二极管技术领域，尤其涉及一种快恢复二极管及其制作方法。背景技术如图1所示，现有技术中的快恢复二极管(FastRecoveryDiode，简称FRD)包括：轻掺杂N型漂移区01；位于所述轻掺杂N型漂移区01第一表面的重掺杂P型半导体层02；位于所述重掺杂P型半导体层02背离所述漂移区01一侧的阳极金属层03；位于所述轻掺杂N型漂移区01第二表面的中掺杂N型半导体层04；位于所述重掺杂N型半导体层04背离所述漂移区01一侧的阴极金属层05；其中，所述第一表面和第二表面为所述漂移区相对...
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