技术编号:12100865
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及过渡金属氧化物功能材料技术领域,具体涉及一种单斜三氧化钨(WO3)纳米带的制备方法。背景技术过渡金属氧化物WO3具有单斜、六方、正交等多种晶体结构,禁带宽度在2.5~3.5eV之间,是一种n型半导体材料,在光催化、电致变色以及传感器领域有广泛的应用。材料的性能取决于其显微结构,包括晶体结构、显微形貌以及掺杂状态等。通过改变工艺参数调控WO3材料的显微结构,是提高性能的有效方法。纳米带是典型的一维纳米材料,具有传统材料所不具备的性能,例如表面效应和小尺寸效应等。由于纳米带具有大比表面积,...
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