技术编号:12129055
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域的半导体产品硅片工艺,特别相关于CIS项目重掺杂衬底硅片,尤其涉及一种用于提高衬底金属捕获能力的CIS硅片处理方法。背景技术互补金属氧化物半导体图像传感器(ComplementaryMetalOxideSemiconductorImageSensor,简称CMOSCIS),是一种典型的固体成像传感器,其具有电荷耦合元件(Charge-coupledDevice,简称CCD)图像传感器的性能,可进入CCD的应用域,且作为一种新生的半导体器件,CMOS以其自身的特点表现出了...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。