技术编号:12129156
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种硅通孔结构的制备方法。背景技术硅通孔技术(TSV,Through-Silicon-Via)是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通、实现芯片之间互连的技术。与以往的IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同,TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大,外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。TSV技术通常在半导体衬底中形成沟槽,并在沟槽中填充金属,实现垂直方向上的连接导通。由于半导体衬底通常都具有相当的厚度,形成沟槽的工艺为等离子刻蚀工艺,通...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。