技术编号：12129336
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明设计半导体制造领域，尤其涉及一种金属电迁移测试结构背景技术集成电路中对金属的可靠性要求很高，因此在集成电路制造中，需要测试金属层的电迁移性能。为了满足对金属层电迁移性能测试，需要设计相应的测试结构。电迁移测试结构主要有金属线组成，通过对金属线施加电流应力，使得被测金属线上通过适当的电流，电流会引起金属线中的金属原子发生移动，经过长时间累积，造成金属物质出现了位置上的漂移，破坏了原来金属线的结构，引发金属线的短路与金属线之间的短路。金属线上金属物质的漂移体现在金属线的电学性质上，如电阻值，通...
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