技术编号：12180329
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明构思涉及一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。例如，本公开涉及包括高密度图案的半导体器件以及形成该半导体器件的图案的方法，该高密度图案形成在半导体器件的高密度区域中并具有超精细的宽度和节距。背景技术高度等比例缩小、高度集成的半导体器件的制造可以涉及形成具有超过光刻工艺的分辨率极限的精细的宽度和间隔的精细图案。因此，会需要形成超过光刻工艺的分辨率极限的精细图案的技术。发明内容本公开提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，其中具有超精细的宽度和节距的高密度图案可以通过利用具有可实施在光刻...
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