半桥式功率半导体模块及其制造方法与流程技术资料下载

技术编号:12185448

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本发明涉及可显著降低在内部的主电流路径上产生的寄生电感的半桥式功率半导体模块及其制造方法。背景技术广泛已知有如下的功率模块,即、在一个封装内收纳有将两个功率半导体装置芯片串联地连接,且以其连接中点为输出端子的半桥式(halfbridge)电路(参照专利文献1及2)。在专利文献1及专利文献2中,将通过在邻接的往返配线上流过相反方向的电流(以下,称为“邻接相反平行通过电流”)减轻配线的寄生电感的电磁学的方法应用于功率模块内部的寄生电感Ls的降低。现有技术文献专利文献专利文献1:(日本)特开2002-...
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