技术编号：12185448
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及可显著降低在内部的主电流路径上产生的寄生电感的半桥式功率半导体模块及其制造方法。背景技术广泛已知有如下的功率模块，即、在一个封装内收纳有将两个功率半导体装置芯片串联地连接，且以其连接中点为输出端子的半桥式(halfbridge)电路(参照专利文献1及2)。在专利文献1及专利文献2中，将通过在邻接的往返配线上流过相反方向的电流(以下，称为“邻接相反平行通过电流”)减轻配线的寄生电感的电磁学的方法应用于功率模块内部的寄生电感Ls的降低。现有技术文献专利文献专利文献1：(日本)特开2002-...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。