技术编号：12251514
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。薄膜沉积设备相关申请的交叉引用本申请要求2015年8月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0114564和2016年6月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0073841的优先权，其公开内容通过引用全部并入本文中。技术领域一个或多个实施方式涉及衬底托架和包括该衬底托架的半导体制造设备(诸如薄膜沉积设备)。背景技术近来，半导体电路的线宽已经降至二十或二十多纳米(nm)，因此需要在硅衬底上沉积非常薄的膜，并使得薄膜沉积工艺的条件更加严格。此外，有必...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。