技术编号：12274783
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造领域，特别是指一种开关N型LDMOS器件的工艺方法。背景技术在0.18μmBCD工艺里，开关N型LDMOS器件的结构如图1所示，图中STI1是常规的隔离槽(如深度)，STI2(如厚度)是比SIT1浅的隔离槽，只用在开关N型LDMOS里，因为浅，做常规的隔离不满足需求。目前开关N型LDMOS器件的制造工艺包含这些步骤：1.N型埋层1的注入及推进；2.P型埋层3的注入及热推进；3.P型外延层2形成；4.N型深阱4注入及推进，STI2(第二STI)光刻及刻蚀，STI1(第一ST...
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