技术编号：12275183
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光伏太阳能技术领域，尤其涉及一种背钝化晶硅太阳电池及其制备方法。背景技术晶硅太阳电池的光电转换效率影响着光伏产业的发展和决定着光企业的核心竞争力，如何提升晶硅太阳电池的光电转换效率倍受业界关注。当前主流的晶硅太阳电池产品的背表面是采用铝背场(Al-BSF)结构，背铝电极与晶体硅直接接触。其中，950-1200nm光谱范围的长波光子在晶体硅中的吸收系数小于5×102/cm，导致吸收不完全入射到晶硅太阳电池背表面，随后被背铝电极吸收损失。另外，晶体硅背表面与铝电极直接接触，使得界面存在高密...
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