技术编号:12275266
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于涉及一种在发光二极管(LED)芯片的量子阱附近制备纳米金属结构的方法,其工艺可以制作成为具有表面等离子体增强效应的LED。背景技术利用表面等离子体(surfaceplasmons,SPs)技术提高LED的出光效率也是当前研究的热点问题。主要是由于SPs具有特殊的性质,一方面,它可以用于提高LED的萃取效率,其原理是通过合适的金属微纳结构,使大于全内反射角而不能辐射出去的光激发SPs,然后使SPs再转化为光把能量辐射出去。另一方面,由于SPs具有很强的局域场特性,在共振时SPs有很高的态...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。