技术编号:12284197
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及LSI的布线材料、电极材料等中使用的、铜化合物、薄膜形成用原料和薄膜的制造方法。背景技术铜薄膜和含铜薄膜由于具有高导电性、高电迁移耐性、高熔点等特性,可作为LSI的布线材料、电极材料利用。作为上述薄膜的制造法,有火焰沉积法;溅射法;离子镀法;涂布热分解法或溶胶-凝胶法等MOD法(MetalOrganicDecomposition:金属有机化合物分解法);ALD法(AtomicLayerDecomposition:原子层蒸镀法)或CVD法(ChemicalVaporDecompositi...
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