技术编号:12288699
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。借助于电子束的层上单向金属相关申请的交叉引用本申请要求享有于2014年6月13日提交的美国临时申请No.62/012,220的优先权,该申请的全部公开内容以引用的方式并入本文中。技术领域本发明的实施例属于光刻领域,具体而言,属于涉及互补性电子束光刻(CEBL)的光刻法的领域。背景技术在过去几十年中,集成电路中特征的缩放是日益增长的半导体工业背后的驱动力。缩放至越来越小的特征实现了功能单元在半导体芯片的有限基板面上增大的密度。集成电路通常包括导电微电子结构,其在本领域中被称为过孔。过孔可用于将过孔...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。