技术编号：12329782
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料领域，涉及一种大面积超薄单晶及其快速生长方法。背景技术现行的晶体生长方法有提拉法(Czochralski)、焰熔法(Verneuil)、浮区熔化法、坩埚下降法(Bridgman-Stockbarger)等，通常都是将原料在坩埚中高温加热融化，然后通过温度控制或籽晶的引导生长出大尺寸目标晶体，最后加工成各种产品投入应用。但这样的生长方式会存在一些天然的缺陷，如生长温度高，浓度不均匀，掺杂浓度低，生长周期长，成本高，引入坩埚材料杂质等。发明内容本发明的目的是提供一种大面积超薄单晶及其快...
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