技术编号：12369698
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种28nm及其以下技术节点半导体制造光刻技术中利用双重曝光的光刻工艺优化方法。背景技术当今的纳米半导体制造光刻技术主要通过减小曝光波长和数值孔径来实现。对于32nm和22nm及其以下技术节点半导体制造技术，可以通过EUV光刻技术来实现，但是这种光刻技术还有许多技术难点没有解决。另一方面，双重曝光技术在传统的光刻技术上通过连续曝光来实现小尺寸图形的成像从而引起越来越多研究者的兴趣。然而这种技术的主要难点在于制作器件时保持较大的工艺窗口。目前双重曝光...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。