锗酸铋单晶体的生长方法与流程技术资料下载

技术编号:12416727

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本发明属于晶体生长领域,尤其涉及一种锗酸铋单晶体的生长方法。背景技术锗酸铋Bi4Ge3O12(BGO)是一种立方结构的无色透明晶体,熔点1050℃,密度7.13g/cm3,具有截止能力强、闪烁效率高、能量分辨率优良和不潮解、加工性能好等优点,在高能粒子或射线激发下能发射出峰值在480nm的绿色荧光,作为目前供应量最大的闪烁晶体,BGO在高能物理、核物理、医疗检测、安全检查和矿物勘探等方面都有广泛应用。通过掺杂之后的BGO晶体还具有良好的激光、磁光和电光性能。目前,生产锗酸铋单晶体的方法主要有提拉...
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