技术编号：12458459
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于硅质靶材的制备领域，具体涉及一种多晶硅靶材的铸造工艺。背景技术目前，多晶硅靶材逐步应用于靶材市场，而单晶硅靶材由于其成本较高不适合靶材行业的持续健康发展。在多晶硅靶材领域，由于工艺的限制，铸造材料要求其纯度较高，在5N以上，同时其产品出成率仅能达到65％左右，且存在着脆性较大、裂纹等多种风险，从而导致生产成本较高。因此，如何降低多晶硅靶材的生产成本、提高产品出成率成为急需解决的主要问题。发明内容为解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供一种多晶硅靶材的铸造工艺，通过对工艺的调整，选取合...
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