技术编号：12473871
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体功率器件制备技术领域，具体涉及一种终端钝化方法及半导体功率器件。背景技术半导体功率器件广泛应用于工业加工，家用电器，交通运输，智能电网，国防军事装备和航空航天等领域，因此需要具备较高的可靠性。目前主要是在半导体功率器件的结构设计和工艺流程上，尤其是在其终端钝化的结构设计和工艺流程上提高半导体功率器件的可靠性。半导体功率器件的终端一般为采用平面工艺制造的平面终端，如双极性器件或场效应器件。平面终端可以采用覆盖薄膜的方式对其进行钝化，阻挡有害杂质离子向衬底表面扩散，从而提高半导体功率...
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