技术编号:12473888
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,更具体地说,本发明涉及一种测试有源区顶部圆滑度的方法。背景技术随着超大规模集成电路(VLSI)和特大规模集成电路(ULSI)的飞速发展,MOS器件的尺寸不断地减小。在器件尺寸等比例缩小的同时,工作电压却没有相应地等比减小,从而使得工作区中的电场强度增大;另一方面,因浅沟槽刻蚀中存在缺陷、顶部形貌不圆滑或侧壁连接不顺畅等原因,出现局部电场集中,容易产生内部放电而形成许多导电通道。特别是在浅沟槽顶部不圆滑的情况下,生长于尖端的ISSG(原位蒸气产生)氧化层厚度会变薄,局部压...
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